{{ $t('FEZ002') }}技合處|
創稿文號:A1110928027 |
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傳送方式:電子傳送 | |||||||
分 文 日 期︰2022-09-28 | 承 辦 人︰研究發展組_李盈青 | ||||||||
收 發 文 號︰1110006794 | 聯 絡 方 式 | ||||||||
速 別︰普通件 | 地 址︰臺北市和平東路二段106號 | ||||||||
密 等︰普通 | 聯絡人 :李蕙瑩 研究員 | ||||||||
來 文 機 關︰國家科學及技術委員會 | 電話 :02-2737-7150 | ||||||||
來 文 字 號︰科會科字第1110060546號 | 傳真 :02-2737-7607 | ||||||||
發 文 日 期︰2022-09-28 | 電子信箱:vvlee@nstc.gov.tw | ||||||||
附 件:如文 1. 6a1499e13a58712a7b1325810f6ca178_111U0P010072_111D2028478-01.pdf |
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主 旨:國科會與美國國家科學基金會(NSF)共同徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計 畫(ACED Fab Program)」,自即日起至2023年1月17日受理申請,請於截止日前完成線上申請並造冊函送 本會,逾期不予受理,請查照轉知。 |
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說 明: 一、為鼓勵臺美雙方學者在半導體及微電子領域之學術合作,並培育晶片設計實作人才,本會與美方(NSF)依2022年 8月22日簽署合作備忘錄及執行協議,共同徵求旨揭計畫,申請方式詳如附件公告徵件說明及本會網頁「計畫徵 求專區」。 二、本申請案須由臺灣與美國雙方計畫主持人合作研議計畫內容後,分別向本會及美國NSF於申請截止期限內提出申 請始得成案。 三、為使更多半導體領域之學者專家參與本次共同徵件,本會與美方NSF將於11月15日及23日共同舉辦「臺美先進系 統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」,鏈結臺美半導體領域學者互動交流,歡迎有興趣學者線上參與 。 四、本案聯絡人: (一)相關計畫內容疑問,請洽本會科國處李蕙瑩研究員,電話:(02)2737-7150。 (二)有關系統操作問題,請洽本會資訊系統服務專線,電話:0800-212-058及(02)2737-7590、7591、7592。 |
{{ $t('FEZ003') }}2022-09-30
{{ $t('FEZ014') }}2022-10-30|
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